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品牌/产地
3PEAK(思瑞浦)
ALLEGRO(美国埃戈罗)
AOS
BL(上海贝岭)
BORN(伯恩半导体)
CJ(江苏长电/长晶)
Corebai(芯佰微)
DIODES(美台)
EVVO(翊欧)
GN(旌芯半导体)
GR(国睿)
Gcore(上海国芯)
Gcore(扬州国芯)
HGC(华冠)
HGC(深圳汉芯)
HGSEMI(华冠)
HTC
HTCSEMI(海天芯)
HX(恒佳兴)
HXY MOSFET(华轩阳电子)
I-CORE(中微爱芯)
IDCHIP(英锐芯)
IKSEMICON
JSMSEMI(杰盛微)
KEC
LANKE(兰科)
LCSC
LRC(乐山无线电)
LX(灵星芯微)
MICROCHIP(美国微芯)
MSKSEMI(美森科)
Mixic(中科芯亿达)
NEC(日电电子)
NTE Electronics
RICHTEK(立锜)
ROHM(罗姆)
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SILAN(士兰微)
ST(意法半导体)
Silicore(芯谷)
Siproin(上海矽朋)
Slkor(萨科微)
Sungine(双竞集成)
TI(德州仪器)
TM(天微)
TOSHIBA(东芝)
TWGMC(台湾迪嘉)
UMW(友台半导体)
UTC(友顺)
WD(维得)
XBLW(芯伯乐)
XINLUDA(信路达)
YW(友旺)
ZHHXDZ(海芯电子)
onsemi(安森美)
无锡思扬微
封装/规格
SOP-16
SOIC-16
DIP-16
DIP-18
SOP-18-300mil
SOP-18
TSSOP-16
SOP-8
SOIC-18-300mil
-
PDIP-16
PowerDIP-16
SIP-10
SIP-12
SOT-23-6
SO-16
SSOP-24
TSSOP-20
PDIP-18
SIP-15
SO-16-208mil
SOIC-18
SOIC-20-300mil
SOP-14
SOP-16-150mil
SSOP-18
CDIP-18
DFN(2x5)
DIP-14
DIP-18-300mil
DIP-8
ESSOP-10-EP-150mil
FLP-16
FLP-18
FLP-20
MSOP-10-0.5
PDIP-8
QFN-20
QFN-20-EP(4x4)
QFN-20L(4x4)
QFN4x4-20L
QSOP-24
SOL-16
SOP-10
SOP-10-150mil
SOP-20
SSOP-16
UDFN-3030-10-EP
通道数
-
七路
三路
五路
八路
六路
双路
四路
集射击穿电压(Vceo)
-
100V
15V
20V
30V
40V
50V
80V
集电极电流(Ic)
-
1.5A
1.75A
140mA
1A
200mA
250mA
2A
300mA
350mA
3A
4A
500mA
50mA
600mA
最大输入电压(VI)
-
15V
20V
25V
30V
5.5V
50V
7V
工作温度
-
-20℃~+70℃
-20℃~+85℃
-20℃~+85℃@(Ta)
-30℃~+105℃
-30℃~+75℃
-40℃~+105℃
-40℃~+125℃
-40℃~+70℃
-40℃~+85℃
-40℃~+85℃@(Ta)
-65℃~+150℃
0℃~+70℃
0℃~+85℃
包装/方式
托盘
管装
编带
筛选结果:357
隐藏不可选
综合排序
销量
价格
有货
符合条件商品:357
嘉立创
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ULN2003ADR
达林顿晶体管阵列基础库

型号:ULN2003ADR
编号:C7512

品牌:TI(德州仪器)
数据手册与封装

封装:SOIC-16

描述:通道数: 七路 集射击穿电压(Vceo): 50V 集电极电流(Ic): 500mA 最大输入电压(VI): 30V ULN2003A 高电压、大电流达林顿晶体管阵列

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ULN2003A
达林顿晶体管阵列扩展库

型号:ULN2003A
编号:C181730

品牌:Mixic(中科芯亿达)
数据手册与封装

封装:SOP-16-150mil

描述:通道数: 七路 集射击穿电压(Vceo): 50V 集电极电流(Ic): 500mA 最大输入电压(VI): 30V 工作温度: - 工作温度: - 1、输出 500mA电流;2、40V可用于驱动继电器。

预售参考价

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ULN2803A
达林顿晶体管阵列扩展库

型号:ULN2803A
编号:C181731

品牌:Mixic(中科芯亿达)
数据手册与封装

封装:SOIC-18-300mil

描述:通道数: 八路 集射击穿电压(Vceo): 50V 集电极电流(Ic): 500mA 最大输入电压(VI): 30V 工作温度: -40℃~+85℃ 工作温度: -40℃~+85℃ 1、500mA集电极输出电流(单路); 2、耐高压(50V); 3、输入兼容 TTL/CMOS逻辑信号; 4、广泛应用于继电器驱动; 5、静电能力:2000V(HBM)

预售参考价

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ULQ2004D1013TR
达林顿晶体管阵列扩展库

型号:ULQ2004D1013TR
编号:C283428

品牌:ST(意法半导体)
数据手册与封装

封装:SO-16

描述:通道数: 七路 集射击穿电压(Vceo): 50V 集电极电流(Ic): 500mA 最大输入电压(VI): - 工作温度: -40℃~+105℃ 工作温度: -40℃~+105℃ 7个达林顿阵列

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ULN2003A
达林顿晶体管阵列扩展库

型号:ULN2003A
编号:C482013

品牌:UMW(友台半导体)
数据手册与封装

封装:SOP-16

描述:通道数: 七路 集射击穿电压(Vceo): 50V 最大输入电压(VI): 30V 工作温度: -40℃~+85℃ 工作温度: -40℃~+85℃

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ULN2003
达林顿晶体管阵列扩展库

型号:ULN2003
编号:C688859

品牌:IDCHIP(英锐芯)
数据手册与封装

封装:SOIC-16

描述:通道数: 七路 集射击穿电压(Vceo): 50V 集电极电流(Ic): - 最大输入电压(VI): 30V 工作温度: -20℃~+85℃ 工作温度: -20℃~+85℃ 最高输入电压(V) 30 集电极和发射极之间的电压(V) 50 集电极电流峰值(mA) 500 总的发射端电流(mA) 500 工作温度 -20~+80 功能描述 七路达林顿管阵列驱动电路 Seven-way Darlington transistors array drive circuit 应用领域 继电器驱动器、灯驱动器、显示驱动器 Relay driver, lamp driver, display driver

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ULN2803
达林顿晶体管阵列扩展库

型号:ULN2803
编号:C2690548

品牌:BL(上海贝岭)
数据手册与封装

封装:SOP-18-300mil

描述:通道数: 八路 集射击穿电压(Vceo): 50V 最大输入电压(VI): 30V 工作温度: -30℃~+105℃ 工作温度: -30℃~+105℃

预售参考价

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ULQ2004A
达林顿晶体管阵列扩展库

型号:ULQ2004A
编号:C2971247

品牌:ST(意法半导体)
数据手册与封装

封装:DIP-16

描述:通道数: 七路 集射击穿电压(Vceo): 50V 集电极电流(Ic): 500mA 最大输入电压(VI): 30V 7个达林顿阵列

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TBD62783AFNG(Z,EL)
达林顿晶体管阵列扩展库

型号:TBD62783AFNG(Z,EL)
编号:C4153829

品牌:TOSHIBA(东芝)
数据手册与封装

封装:SSOP-18

描述:

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ULN2003AMT/TR
达林顿晶体管阵列扩展库

型号:ULN2003AMT/TR
编号:C5160096

品牌:HGSEMI(华冠)
数据手册与封装

封装:TSSOP-16

描述:通道数: 七路 集射击穿电压(Vceo): - 集电极电流(Ic): 500mA 最大输入电压(VI): 30V 工作温度: -40℃~+85℃ 工作温度: -40℃~+85℃ 7通道达林顿晶体管阵列

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