描述:晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic): 600mA 集射极击穿电压(Vceo): 160V 耗散功率(Pd): 300mW 直流电流增益(hFE): 200@10mA,5V 直流电流增益(hFE): 200@10mA,5V 特征频率(fT): 100MHz 集电极截止电流(Icbo): 50nA 集射极饱和电压(VCE(sat)): 150mV 工作温度: -55℃~+150℃ 工作温度: -55℃~+150℃
1+:¥0.0875
500+:¥0.0663
3000+:¥0.0569
6000+:¥0.0499
整盘单价:¥0.05235
3000 pcs/盘
嘉立创SMT补贴8%,1盘省13.65元
1261857
描述:晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic): 500mA 集射极击穿电压(Vceo): 25V 耗散功率(Pd): 300mW 直流电流增益(hFE): 200@500mA,1V 直流电流增益(hFE): 200@500mA,1V 特征频率(fT): 150MHz 集电极截止电流(Icbo): 0.1uA 集射极饱和电压(VCE(sat)): 600mV 工作温度: -55℃~+150℃ 工作温度: -55℃~+150℃ 丝印J3Y
1+:¥0.0868
500+:¥0.066
3000+:¥0.0567
6000+:¥0.0498
整盘单价:¥0.05216
3000 pcs/盘
嘉立创SMT补贴8.01%,1盘省13.62元
732048
描述:晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic): 1.5A 集射极击穿电压(Vceo): 25V 耗散功率(Pd): 300mW 直流电流增益(hFE): 200@800mA,1V 直流电流增益(hFE): 200@800mA,1V 特征频率(fT): 100MHz 集电极截止电流(Icbo): 0.1uA 集射极饱和电压(VCE(sat)): 500mV 工作温度: -55℃~+150℃ 工作温度: -55℃~+150℃ 丝印Y1
1+:¥0.0875
500+:¥0.0662
3000+:¥0.0567
6000+:¥0.0496
整盘单价:¥0.05216
3000 pcs/盘
嘉立创SMT补贴8.01%,1盘省13.62元
1145170
描述:晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic): 500mA 集射极击穿电压(Vceo): 25V 耗散功率(Pd): 300mW 直流电流增益(hFE): 120@50mA,1V 直流电流增益(hFE): 120@50mA,1V 特征频率(fT): 150MHz 集电极截止电流(Icbo): 0.1uA 集射极饱和电压(VCE(sat)): 600mV 工作温度: -55℃~+150℃ 工作温度: -55℃~+150℃ 丝印J3
1+:¥0.0898
500+:¥0.0681
3000+:¥0.0585
6000+:¥0.0512
整盘单价:¥0.05382
3000 pcs/盘
嘉立创SMT补贴8%,1盘省14.04元
536761
描述:晶体管类型: PNP 集电极电流(Ic): 0.6A 集射极击穿电压(Vceo): 150V 耗散功率(Pd): 0.3W 直流电流增益(hFE): 100@10mA,5V 直流电流增益(hFE): 100@10mA,5V 特征频率(fT): 100MHz 集电极截止电流(Icbo): 0.1uA 集射极饱和电压(VCE(sat)): 500mV 工作温度: -55℃~+150℃ 工作温度: -55℃~+150℃ 丝印2L
1+:¥0.0874
500+:¥0.0662
3000+:¥0.0568
6000+:¥0.0497
整盘单价:¥0.05226
3000 pcs/盘
嘉立创SMT补贴7.99%,1盘省13.62元
314527
描述:晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic): 600mA 集射极击穿电压(Vceo): 40V 耗散功率(Pd): 300mW 直流电流增益(hFE): 100@150mA,10V 直流电流增益(hFE): 100@150mA,10V 特征频率(fT): 300MHz 集电极截止电流(Icbo): 0.01uA 集射极饱和电压(VCE(sat)): - 工作温度: -55℃~+150℃ 工作温度: -55℃~+150℃
1+:¥0.0983
500+:¥0.0763
3000+:¥0.0601
6000+:¥0.0527
整盘单价:¥0.05529
3000 pcs/盘
嘉立创SMT补贴8%,1盘省14.43元
163823
描述:晶体管类型: PNP 集电极电流(Ic): 1.5A 集射极击穿电压(Vceo): 25V 耗散功率(Pd): 300mW 直流电流增益(hFE): 200@100mA,1V 直流电流增益(hFE): 200@100mA,1V 特征频率(fT): 100MHz 集电极截止电流(Icbo): 100nA 集射极饱和电压(VCE(sat)): 500mV 工作温度: -55℃~+150℃ 工作温度: -55℃~+150℃ hfe=200~350
1+:¥0.0877
500+:¥0.0666
3000+:¥0.0573
6000+:¥0.0502
整盘单价:¥0.05272
3000 pcs/盘
嘉立创SMT补贴7.99%,1盘省13.74元
853368
描述:晶体管类型: PNP 集电极电流(Ic): 500mA 集射极击穿电压(Vceo): 25V 耗散功率(Pd): 300mW 直流电流增益(hFE): 120@50mA,1V 直流电流增益(hFE): 120@50mA,1V 特征频率(fT): 150MHz 集电极截止电流(Icbo): 0.1uA 集射极饱和电压(VCE(sat)): 600mV 工作温度: -55℃~+150℃ 工作温度: -55℃~+150℃ 丝印2T1
1+:¥0.0899
500+:¥0.0682
3000+:¥0.0586
6000+:¥0.0514
整盘单价:¥0.05391
3000 pcs/盘
嘉立创SMT补贴8%,1盘省14.07元
78234
描述:晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic): 3A 集射极击穿电压(Vceo): 30V 耗散功率(Pd): 0.5W 直流电流增益(hFE): 160@1A,2V 直流电流增益(hFE): 160@1A,2V 特征频率(fT): 50MHz 集电极截止电流(Icbo): 1uA 集射极饱和电压(VCE(sat)): 500mV 工作温度: -55℃~+150℃ 工作温度: -55℃~+150℃
1+:¥0.341
100+:¥0.272
300+:¥0.237
1000+:¥0.207
整盘单价:¥0.19044
1000 pcs/盘
嘉立创SMT补贴8%,1盘省16.56元
88782
描述:晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic): 200mA 集射极击穿电压(Vceo): 40V 耗散功率(Pd): 200mW 直流电流增益(hFE): 100@10mA,1V 直流电流增益(hFE): 100@10mA,1V 特征频率(fT): 300MHz 集电极截止电流(Icbo): 100nA 集射极饱和电压(VCE(sat)): 300mV 工作温度: - 工作温度: - 丝印1A
1+:¥0.0616
500+:¥0.0466
3000+:¥0.0399
6000+:¥0.0349
整盘单价:¥0.03671
3000 pcs/盘
嘉立创SMT补贴7.99%,1盘省9.57元
614026
元件名称
品牌产地
原厂型号
元件编号
封装规格
元件类别
1.加入待邮寄的订单:需要您在“待邮寄”清单中点“寄出”后填写快递单号并付款。
2.邮寄的包裹:需要在嘉立创签收入库后,才会开始生产PCB。
3.费用说明:下单时选用的邮寄器件是“还未入库”的器件,将收取5元每种邮寄服务费(SMT下单时收取)。为了节省5元/种费用,建议您提前邮寄物料,物料入库后再下单,此时嘉立创不收取任何邮寄服务费
4.邮寄物料使用规则:器件损耗与嘉立创器件同样规则扣除。
5.目前仅接受引脚间距大于等于0.4mm的电子元器件邮寄。
6.请在元件包装上贴元件型号或元件编号“”。
元件名称
品牌产地
原厂型号
元件编号
封装规格
元件类别